Производитель Номер продукта:
BSC106N025S G
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC106N025S G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 13A/30A TDSON
Подробное описание:
N-Channel 25 V 13A (Ta), 30A (Tc) 2.8W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Инвентаризация:
12837307
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC106N025S G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Ta), 30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1370 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 43W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-1
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
SP000095470
BSC106N025SGXT
BSC106N025S G-DG
BSC106N025SG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
CSD16410Q5A
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Texas Instruments
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2506
Номер части
CSD16410Q5A-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.27
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQD7P20TM_F080
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
IRLR230ATF
MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
FCP067N65S3
MOSFET N-CH 650V 44A TO220